Samsung beitir EUV tækni við DRAM framleiðslu í fyrsta skipti

Samkvæmt ZDnet tilkynnti Samsung að það hafi beitt EUV tækni með góðum árangri í DRAM framleiðslu.

Samsung hefur sent 1 milljón 10nm DDR4 DRAM einingar framleiddar með EUV ferli og hafa verið metnar af viðskiptavinum. Samsung sagði að loknu mati muni ryðja brautina fyrir fjöldaframleiðslu nýrra DRAM á næsta ári.

EUV-eini V2 framleiðslulína Samsung í Pyeongtaek-verksmiðjunni mun hefja framleiðslu á DRAM-einingum á seinni hluta ársins. Gert er ráð fyrir að framleiðslulínan framleiði 4. kynslóð 10nm DDR5 og LPDDR5.

Þetta er annar flís framleidd af Pyeongtaek verksmiðjunni auk 7nm rökflísar sem nota EUV tækni. Samsung heldur því fram að EUV tæknin muni tvöfalda framleiðslu skilvirkni stakrar 12 tommu skífu.

Búist er við að alþjóðlegir hálfleiðari framleiðendur eins og Samsung, Intel og TSMC muni auka notkun ESB-tækni við flísframleiðslu. Samsung hefur áður lýst því yfir að það hyggist nota EUV tækni til að framleiða 3nm flís.